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半導體分立器件是組成集成電路的基礎，包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等。直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石。通常使用I-V特性分析，或I-V曲線，來決定器件的基本參數(shù)。微電子器件種類繁多，引腳數(shù)量和待測參數(shù)各不相同，除此以外，新材料和新器件對測試設備提出了更高的要求，要求測試設備具備更高的低電流測試能力，且能夠支持各種功率范圍的器件。

分立器件I-V特性測試的主要目的是通過實驗，幫助工程師提取半導體器件的基本I-V特性參數(shù)，并在整個工藝流程結束后評估器件的優(yōu)劣。

隨著器件幾何尺寸的減小，半導體器件特性測試對測試系統(tǒng)的要求越來越高。通常這些器件的接觸電極尺寸只有微米量級，這些對低噪聲源表，探針臺和顯微鏡性能都提出了更高的要求。

半導體分立器件I-V特性測試方案，泰克公司與合作伙伴使用泰克吉時利公司開發(fā)的高精度源測量單元（SMU）為核心測試設備，配備使用簡便靈活，功能豐富的CycleStar測試軟件，及精準穩(wěn)定的探針臺，為客戶提供了可靠易用的解決方案，極大的提高了用戶的工作效率。

吉時利方案特點：

  豐富的內(nèi)置元器件庫，可以根據(jù)測試要求選擇所需要的待測件類型；

測試和計算過程由軟件自動執(zhí)行，能夠顯示數(shù)據(jù)和曲線，節(jié)省了大量的時間；

精準穩(wěn)定的探針臺，針座分辨率可高達0.7um，顯微鏡放大倍數(shù)最高可達x195倍；

最高支持同時操作兩臺吉時利源表，可以完成三端口器件測試。

測試功能：

二極管特性的測量與分析

極型晶體管BJT特性的測量與分析 

MOSFET場效應晶體管特性的測量與分析 

MOS 器件的參數(shù)提取

系統(tǒng)結構：

系統(tǒng)主要由一臺或兩臺源精密源測量單元（SMU）、夾具或探針臺、上位機軟件構成。以三端口MOSFET 器件為例，共需要以下設備：

1、兩臺吉時利 2450 精密源測量單元

2、四根三同軸電纜

3、夾具或帶有三同軸接口的探針臺

4、三同軸T型頭

5、上位機軟件與源測量單元（SMU）的連接方式如下圖所示，可以使用LAN/USB/GPIB中的任何一個接口進行連接。

系統(tǒng)連接示意圖：

典型方案配置：

西安某高校現(xiàn)場演示圖

安泰測試已為西安多所院校、企業(yè)和研究所提供吉時利源表現(xiàn)場演示，并獲得客戶的高度認可，安泰測試將和泰克吉時利廠家一起，為客戶提供更優(yōu)質(zhì)的服務和全面的測試方案，為客戶解憂。如需申請樣機演示服務，歡迎咨詢安泰測試m.ankangfengye.cn，預約熱線：18165377573.